Мосфет что это на видеокарте
Самые важные параметры преобразователей VRM материнских плат
Содержание
Содержание
Модуль регулятора напряжения материнской платы состоит из множества радиоэлементов: начиная от ШИМ-контроллера, который является центром управления, и заканчивая умножителями и мосфетами. Давайте разберемся, какие у них бывают технические характеристики и что это дает на практике.
В предыдущих статьях цикла мы уже выяснили, из чего состоит VRM. Также рассмотрели пять различных топологий, которые применяют производители плат. Перед прочтением материала рекомендуем сперва ознакомиться с этими публикациями.
ШИМ-контроллеры
Основной параметр контроллера — количество каналов управления.
Центральный процессор состоит из двух функциональных узлов, которые питаются через отдельные линии питания: VDD — это ядра процессора, а в SoC входят интегрированная графика и контроллер памяти. Получается, что ШИМ-контроллер состоит из двух контроллеров, которые работают независимо, но расположены в одном корпусе. Первая часть каналов используется для формирования напряжения питания VDD, а вторая — для SoC.
Сам преобразователь VRM тоже делится на два независимых канала. Они обозначаются в схеме питания как А + В, где А — количество каналов для формирования напряжения VDD; а В — количество для SoC.
Разберем на примерах. В материнской плате GIGABYTE A520M DS3H реализована схема питания 5 + 3. Пять каналов предназначены для VDD, три формируют напряжение для SoC. Применяемый в плате контроллер Renesas RAA 229004 способен работать и по схеме 6 + 2, все зависит от производителя. Топология преобразователя VRM классическая: один канал ШИМ-контроллера управляет одной фазой.
В GIGABYTE B550 AORUS Elite V2 используется контроллер Intersil RAA 229004 со схемой питания 12 + 2. Корректней будет записать ее (6 × 2) + 2. Шесть каналов контроллера через удвоители управляют 12 фазами питания VDD, еще два канала — двумя фазами, формирующими напряжение для SoC.
В материнской плате ASUS TUF Gaming Z590-Plus реализована схема 14 + 2 [корректней (7 × 2) + (1 × 2)]. Восьмиканальный ШИМ-контроллер ASP1900B использует семь каналов, которые через удвоители управляют 14 фазами питания VDD, а последний канал (тоже через даблер) выдает напряжение на SoC.
Умножители
Они предназначены для кратного увеличения количества фаз и увеличения результирующей мощности VRM. Подробнее читайте здесь.
Умножители распределяют импульсы поочередно, поэтому частота на каждом из выходов удвоителя (400 кГц) будет вдвое ниже частоты на входе (800 кГц).
А для учетверителя — в четыре раза ниже (200 кГц):
В материнской плате GIGABYTE Z490 Aorus Xtreme используются даблеры Renesas ISL 6617. Они удваивают восемь каналов ШИМ-контроллера Renesas ISL 69269 до 16 фаз.
Также в ее VRM применяется интересное техническое решение. Для питания функциональных узлов процессора используются разные ШИМ-контроллеры. На VDD напряжение формирует восьмиканальный Renesas ISL 69269, а для SoC — одноканальный Richtek RT9018B.
Мосфеты
Ключевым параметром мосфета является Rds (Resistanse drain to source, в переводе «сопротивление сток — исток»). От него зависит, какая мощность будет выделяться на корпусе в виде тепла. Эти потери определяют КПД всего функционального узла, в котором используется мосфет. Чем ниже Rds — тем лучше. Подробнее об устройстве и работе полевого транзистора читайте здесь.
Разберем на примере. Выделяемая мощность — это произведение квадрата протекаемого тока на его сопротивление: P = I 2 × R. Если последнее велико (примем 0,1 Ом), то при токе 20 А мощность составит 40 Вт (20 2 × 0,1 = 40). Это довольно большая величина, которая способна вывести мосфет из строя. Чтобы предотвратить подобное, нужно уменьшить ток. То есть, при большом сопротивлении максимальный ток ограничивается мощностью рассеивания, даже если кристалл мосфета способен пропускать гораздо больше.
Хорошим значением Rds считается диапазон от 0,001 до 0,003 Ом. В таком случае мощность составит от 0,4 Вт до 1,2 Вт.
Мосфеты обладают положительным коэффициентом сопротивления, что является негативным фактором. Это значит, что при увеличении их температуры Rds тоже увеличивается.
Еще один параметр, о котором стоит упомянуть — максимальный ток мосфета (ID). Это величина, которую полевой транзистор способен пропустить через себя, работая в ключевом режиме на предельной температуре кристалла. При известном значении Rds этот ток определяет максимальную рассеиваемую мощность (Pmax = ID 2 × Rds).
Третья важная характеристика — максимальная частота. Чтобы о ней поговорить, сперва нужно разобраться, какие бывают сборки мосфетов.
Сборка в одном корпусе с драйвером
В 2004 году Intel разработала технологию DrMOS. Название составили из начальных частей слов Driver и MOSFET. Инженеры компании упаковали в одном корпусе микросхемы сразу несколько элементов: драйвер и оба силовых ключа (верхнего и нижнего плеча).
Элементы в такой схеме располагаются очень компактно. Длина соединительных линий стала меньше, что привело к уменьшению паразитных индуктивностей и емкостей. В результате частота переключения мосфетов, при которой сохраняются требуемые параметры по тепловыделению и КПД, увеличилась до четырех раз. Помимо этого, удалось добиться наилучшего согласования выходных параметров драйвера с входными характеристиками мосфетов.
Экономия площади текстолита — еще одно достоинство, что особенно актуально для материнских плат формата mATX. Но есть и недостаток. Если дискретный силовой ключ или драйвер выйдут из строя, то можно перепаять их отдельно. В случае DrMOS придется менять всю микросхему, что значительно дороже.
DrMOS используют большинство производителей. Например, компания ASUS применила их для VRM материнской платы ROG STRIX B550-F GAMING.
Сборка в одном корпусе, но драйвер отдельно
В такой гибридной компоновке два силовых ключа соединяют в единый коммутатор, а драйвер располагают отдельно.
Мосфеты подбираются с параметрами, которые обеспечивают сбалансированную работу в паре. С одной стороны, экономится площадь материнской платы, а с другой — немного увеличивается ремонтопригодность (в сравнении с DrMOS).
Дискретная компоновка
Несмотря на то, что эта схема самая «древняя» и кажется устаревшей, до сих пор выпускается множество материнских плат с раздельными мосфетами и драйвером.
Главный недостаток — невысокая скорость переключения силовых ключей. Из-за длинных связей между элементами, паразитные индуктивности здесь гораздо больше. Поэтому максимальная частота переключения мосфетов значительно ниже, чем у DrMOS. Она составляет примерно 0,5 МГц, тогда как совместная сборка с драйвером позволяет поднять ее вплоть до 2 МГц:
Недостатки и преимущества обратны DrMOS. С одной стороны, хорошая ремонтопригодность. Но с другой, используется бо́льшая площадь текстолита платы.
Компоновка VRM с дискретными ключами и драйверами применяется, например, в материнской плате MSI MAG B560M MORTAR.
О проверке полевых транзисторов импульсных цепей питания
При эксплуатации видеокарт с повышенной нагрузкой (например, при майнинге) иногда возникают ситуации, когда они выходят из строя. Частой причиной их поломки является неисправность элементов цепей питания. В случае, если какие-то транзисторы, конденсаторы или другие детали сгорели с образованием короткого замыкания, от пожара должен спасать блок питания, точнее его защита от КЗ (высокого тока).
Как правило, если у видеокарты имеется короткое замыкание по цепям, идущим от разъема дополнительного питания +12V, либо по напряжениям +3.3V/+12 со слота PCI-E, срабатывает защита блока питания и компьютер не включается. Если БП не имеет такой защиты, либо она не работает, то последствия могут быть очень печальными: появление возгораний, прогаров и других проблем, которые очень тяжело устранить.
В то же время, неисправность цепей питания видеокарт, не сопровождающаяся прогарами, достаточно легко устраняется даже специалистами среднего уровня подготовки.
В данной статье рассматривается последовательность действий по проверке исправности полевых транзисторов фаз питания видеокарт, которые приводят к срабатыванию защиты блока питания компьютера.
Выявление причин неисправности видеокарты, которая не дает компьютеру включиться
При установке видеокарты с коротким замыканием по питанию в материнскую плату (либо в райзер), при включении компьютера блок питания уходит в защиту.
Для уточнения причин неисправности в первую очередь нужно проверить сопротивление на разъеме дополнительного питания +12 вольт и контактах +3.3 и +12 вольт на контактах PCI-E видеокарты.
Если сопротивление очень мало или равно нулю, то это свидетельствует о выходе из строя каких-то элементов в цепях питания видеокарты.
Для нахождения причин проблемы нужно произвести внимательный осмотр деталей на плате на предмет потемнений, повреждений, обуглений и других отклонений от нормы.
Частой причиной короткого замыкания является использование некачественных керамических конденсаторов в цепях питания. Они иногда выходят из строя с образованием участка с очень малым сопротивлением. Подробнее о таких проблемах можно прочитать в статье «Устранение типичной неисправности в цепи питания Sapphire Radeon RX400/500-й серий».
Если визуальный осмотр не дает никаких результатов, нужно приступать к проверке сопротивлений подозрительных электронных элементов в цепях питания видеокарты.
Наиболее частой причиной появления проблем, связанных с появлением коротких замыканий, являются пробои полевых транзисторов фаз питания. Точно проверить их исправность можно только выпаяв их с печатной платы, хотя у пробитого полевого транзистора выявить короткое замыкание можно и не снимая его с платы. Для оценки состояния полевых транзисторов используется измерение сопротивления, а также падение напряжения между выводами.
О роли полевых транзисторов в импульсных источниках питания
В современных видеокартах в качестве ключевых элементов импульсных фаз питания чаще всего используются n-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором.
Полевые транзисторы являются электронными ключами, обеспечивающими работу фаз питания видеокарт (картинка с сайта techpowerup):
Это активные электронные компоненты с МОП-структурой (металл-окисел-полупроводник), в которых используется полевой эффект.
На английском языке их называют MOSFET-транзисторами (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor):
MOSFET-транзисторы еще называют МДП-транзисторами (структура метал-диэлектрик-полупроводник), МОП-транзисторами (структура метал-окисел-полупроводник).
Упрощенная структура n-канального полевого транзистора:
N-канальные транзисторы имеют три вывода:
Типовая электрическая схема N-канального полевого MOSFET-транзистора:
Как видно из схемы, между истоком и стоком n-канального полевого транзистора (иногда) включается диод. Это элемент, который должен защищать транзистор от всплесков обратного напряжения, вызванных переходными процессами на индуктивной нагрузке фаз питания при выключении транзистора. Он должен гасить на себе всплеск напряжения от катушки индуктивности в момент закрытия транзистора.
MOSFET-транзисторы выпускаются в четырех видах корпусов:
Виды корпусов MOSFET-транзисторов:
Чтобы проверить полевые транзисторы, нужно знать хотя бы на базовом уровне их устройство, принцип работы, назначение выводов и какое сопротивление должно быть между ними в выключенном состоянии.
Как работают ключевые MOSFET-транзисторы в фазах питания импульсных цепей питания
N-канальные транзисторы обычно открываются путем подачи на затвор положительного потенциала.
Упрощенный пример подключения нагрузки через MOSFET-транзистор (Enhancement-типа):
В данной схеме для того, чтобы n-канальный MOSFET-транзистор заработал, к его стоку(drain) необходимо подать позитивное напряжение Vdd, а на затвор (gate) — минимальное напряжение Vg. После этого n-канал между стоком-истоком откроется, по нему потечет ток от стока (+Vdd) к истоку (минусовой вывод) — транзистор перейдет во включенное, открытое состояние.
Иллюстрация работы n-канала, образующегося при открытии MOSFET-транзистора:
Чтобы выключить MOSFET, нужно отключить напряжение Vdd или Vg.
Более подробно о работе импульсных фаз питания можно почитать в статье «Как работает VRM материнских плат».
Как омметром проверить полевой транзистор?
Исходя из логики работы рассмотренного полевого транзистора, в закрытом состоянии он не должен проводить ток между стоком-истоком, то есть его сопротивление должно быть очень велико.
В связи с тем, что между выводами сток-исток включен диод, сопротивление между этими выводами будет значительно отличаться при разной полярности щупов омметра. Если к истоку (source) подключить плюсовой вывод, а на сток (drain) — минус, то сопротивление будет очень маленьким — оно должно соответствовать внутреннему сопротивлению диода (здесь можно измерять падение напряжения на его переходе). При обратной полярности (на истоке — минус, ан стоке — плюс) сопротивление должно быть очень большим.
Сопротивление между затвором и стоком, а также затвором-истоком должно быть очень большим, так как затвор электрически изолирован от других выводов.
При подаче на затвор небольшого положительного потенциала (например, от плюсового вывода щупа мультиметра) транзистор должен открываться, а сопротивление между всеми выводами — падать практически до нуля (в связи с этим поведение открытого полевого транзистора похоже на пробитый элемент с коротким замыканием). Закрыть транзистор после этого можно путем подачи отрицательного потенциала на затвор.
Для исключения влияния других электронных элементов, лучше всего транзисторы проверять в отпаянном от платы состоянии. Так как это не всегда удобно делать, то оценить состояние транзисторов приходится не снимая их с видеокарты (другого устройства). Перед проверкой следует обнулить заряд затвора (G), кратковременно замкнув его с истоком (S).
Для этого мультиметром в режиме измерения сопротивления измеряется его значение между стоком (drain) — истоком (Source). Если щуп минуса находится на стоке (drain, подложка MOSFET-а), а плюс — на истоке (S), то транзистор, находящийся в закрытом состоянии должен показывать высокое сопротивление (что соответствует падению напряжения, равному сотням милливольт).
В качестве практического примера проверки полевых транзисторов VRM рассмотрим видеокарту Nvidia GeForce GTX950.
Практическая проверка полевых транзисторов на печатной плате видеокарты
На видеокарте Nvidia GeForce GTX950 (модель Strix от фирмы ASUS) используется 4 фазы питания GPU и 1 фаза для VRAM (аналогичная схемотехника используется и во некоторых других видеокартах Nvidia).
Четыре фазы питания GPU у видеокарты GeForce GTX950 собраны на транзисторах M3056M (две штуки, формирующие нижнее плечо фазы питания) и одного M3054M (верхняя фаза). Три фазы управляются ШИМ-контроллером uP9501P (справа вверху на изображении), еще одна — uP1959R:
Одна фаза питания памяти видеокарты Nvidia GeForce GTX950 состоит из двух полевых транзисторов M3056M и одного M3054M под управлением ШИМ-контроллера uP1541P:
Полевые транзисторы M3056M выпускаются в корпусе с восемью выводами типа QFN-8. Это N-канальные MOSFET-транзисторы со следующими параметрами:
Полевые транзисторы M3054M имеют следующие параметры:
Распиновка полевых транзисторов M3054M/M3056M:
Для проверки этих транзисторов нужно замерить сопротивление в обоих направлениях (падение напряжения) между выводами сток-исток (drain-source) — оно должно быть очень большим при включении плюсового щупа на исток и показывать сопротивление диода при обратном соединении. Иногда защитный диод отсутствует, поэтому сопротивление в обеих направлениях большое.
Для уменьшения времени, затрачиваемого на проверку ключевых транзисторов фаз питания следует учитывать, что наиболее часто выходят из строя транзисторы, работающие в качестве верхнего ключа.
У видеокарты GeForce GTX950 при первоначальной диагностике было диагностировано аномально низкое сопротивление по линии +12 вольт из слота PCI-E (около 6 Ом)
Измерение сопротивления транзисторов фаз питания GPU показало пробой транзисторов M3054M (верхние плечи) двух фаз питания, расположенных ближе к разъему PCI-E (сопротивление около 6 Ом в обеих направлениях), а также одного транзистора M3056M нижнего плеча (сопротивление 0.5 Ом в обеих направлениях). Такие же исправные транзисторы двух верхних фаз на плате показывали сопротивление, близкое к бесконечности.
Неисправные транзисторы фаз питания, выявленные путем измерения сопротивления сток-исток на печатной плате видеокарты:
После выпаивания и замены неисправных транзисторов аномально низкое сопротивление по линии +12 вольт со слота PCI-E, приводящее к срабатыванию защиты в блоке питания ушло. Обычно при такой неисправности вылетает и ШИМ-контроллер, который рекомендуется заменить, даже если он чудом выжил.
Заключение
Чтобы избежать выхода из строя полевых транзисторов фаз питания, работающих в импульсном режиме, нужно обеспечить выполнение следующих условий:
При поиске неисправностей в импульсных фазах питания стоит учитывать, что наиболее частой причиной выхода из строя MOSFET-транзистора является короткое замыкание (пробой) между истоком и стоком. При этом внутри транзистора очень сильно поднимается температура, расплавляется кристалл и металлические элементы, что может повредить близлежащие электронные элементы и прожечь печатную плату вместе с проводящими слоями.
Для уменьшения вероятности пробоя транзисторов следует обеспечивать запас по напряжению BVDSS у транзисторов фаз питания, в расчете на возможное повышение рабочего напряжения во время бросков тока/пиковых нагрузок. Это важно учитывать при ремонте и замене неисправных полевых транзисторов на аналоги. Кроме того, для обеспечения щадящего режима работы транзисторов фаз питания, в импульсных цепях питания должны быть установлены необходимые сглаживающие и блокировочные конденсаторы (в рабочем состоянии).
MOSFET транзисторы-что представляет собой, принцип работы
Кратко о MOSFET
MOSFET — это управляемый переключатель с тремя контактами (затвор, сток и исток). Сигнал затвора (управления) подается между затвором и истоком, а контактами переключения являются сток и исток. Сам затвор выполнен из металла и отделен от истока оксидом металла в качестве диэлектрика. Это позволяет снизить энергопотребление и делает этот транзистор отличным выбором для использования в качестве электронного переключателя или усилителя в схеме с общим истоком.
Для правильной работы МОП-транзисторы должны поддерживать положительный температурный коэффициент. Потери во включенном состоянии малы и теоретически сопротивление транзистора в этом состоянии не ограничено — может быть близко к нулю. Кроме того, поскольку МОП-транзисторы могут работать на высоких частотах, они могут работать в устройствах с быстрым переключением и с низкими потерями на переключение.
Существует много различных типов МОП-транзисторов, но наиболее сопоставимыми с IGBT являются мощные MOSFET. Они специально разработаны для работы со значительными уровнями мощности и используются чаще всего только во включенном или выключенном состояниях, что делает их наиболее используемым ключом для низковольтных схем. По сравнению с IGBT, мощные полевые МОП-транзисторы имеют преимущества — более высокую скорость коммутации и более высокую эффективность при работе при низких напряжениях. Более того, такая схема может выдерживать высокое напряжение блокировки и поддерживать высокий ток. Это связано с тем что большинство мощных МОП-структур являются вертикальными (а не плоскими). Номинальное напряжение является прямой функцией легирования и толщины эпитаксиального слоя с примесью N-типа, а ток зависит от ширины канала (чем шире канал, тем выше ток).
Описание
Полевой транзистор, он же мосфет (MOSFET) – электронный компонент, позволяющий при помощи небольшого напряжения и тока (с пина микроконтроллера) управлять мощной нагрузкой постоянного то ка, которую пин МК сам питать не в состоянии: моторы, клапаны, мощные светодиоды и так далее. Более подробно про мосфеты написано в уроке по управлению нагрузкой. В уроке идёт мосфет IRF740, N-канального типа.
Основные параметры MOSFET-транзистора
Ниже перечислены основные параметры MOSFET-транзистора данные на которые приводятся в справочных листках — datasheet-ах:
1. Максимальное напряжение сток-исток (Drain-Source Voltage) VDS – максимально допустимое напряжение между стоком и истоком транзистора.
2. Сопротивление сток-исток RDS – сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии. При заданном напряжении затвор-исток. И токе стока.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (Gate-Source Voltage) VGS – максимальное управляющее напряжение затвор-исток. При превышении этого напряжения возможен пробой затворного диэлектрика и выход транзистора из строя.
4. Максимальный ток стока в непрерывном режиме (Continuous Drain Current) ID – максимальная величина постоянно протекающего тока стока в непрерывном режиме. Зависит от температуры корпуса транзистора и условий теплоотвода.
5. Максимальный импульсный ток стока (Pulsed Drain Current) IDM — максимальная величина импульсного тока стока. Зависит от коэффициента заполнения, условий теплоотвода. Принципиально ограничивается энергией рассеивания кристалла.
6. Энергия рассеивания кристалла (Single Pulse Avalanche Energy) EAS – максимальная энергия, которая может быть рассеяна на кристалле транзистора без его разрушения.
7. Максимальная рассеиваемая мощность (Maximum Power Dissipation) PD – максимальная тепловая мощность, которая может быть отведена от корпуса транзистора (при заданной температуре корпуса транзистора).
8. Диапазон рабочих температур — диапазон температур, в пределах которого допускается эксплуатация транзистора.
8. Тепловое сопротивление транзистор-воздух RthJA (Maximum Junction-to-Ambient) — максимальное тепловое сопротивление транзистор-воздух (при условии свободного конвективного теплообмена).
9. Тепловое сопротивление корпус транзистора – теплоотвод (Case-to-Sink, Flat, Greased Surface) RthCS — максимальное тепловое сопротивление перехода корпус транзистора – теплоотвод. При условии плоской блестящей поверхности теплоотвода.
10. Тепловое сопротивление корпус транзистора (Maximum Junction-to-Case (Drain) RthJC — максимальное тепловое сопротивление кристалл — корпус транзистора.
11. Пороговое напряжение затвор-исток (Gate-Source Threshold Voltage) VGS(th) — пороговое напряжение затвор-исток, при котором начинается переход транзистора в проводящее состояние.
12. Ток утечки стока (Zero Gate Voltage Drain Current) IDSS – ток стока выключенного транзистора (при нулевом напряжении затвор-исток). Значительно зависит от температуры.
13. Ток утечки затвора (Gate-Source Leakage) IGSS – ток через затвор при некотором (как правило максимальном) напряжении затвор-исток.
14. Входная емкость (Input Capacitance) Ciss – суммарная емкость затвор-исток и емкость затвор-сток (при некотором напряжении сток-исток).
15. Выходная емкость (Output Capacitance) Coss – суммарная емкость затвор-сток и емкость сток-исток.
16. Проходная емкость (Reverse Transfer Capacitance) Crss – емкость затвор-сток.
17. Общий заряд затвора (Total Gate Charge) Qg – суммарный заряд затвора, необходимый для перевода транзистора в проводящее состояние.
18. Заряд затвор-исток (Gate-Source Charge) Qgs – заряд емкости затвор-исток.
20. Заряд затвор-сток (Gate-Drain Charge) Qgd — заряд емкости затвор-сток.
21. Время задержки включения (Turn-On Delay Time) td(on) – время за которое транзистор накапливает заряд до напряжения на затворе, при котором транзистор начинает открываться.
22. Время роста тока через транзистор (Rise Time) – время, за которое происходит нарастание тока стока транзистора от 10% до 90%.
23. Время задержки выключения (Turn-Off Delay Time) td(off) – время за которое заряд затвора становится меньшим заряда включения, и транзистор начинает закрываться.
24. Время спада тока через транзистор (Fall Time) — время, за которое происходит спад тока стока транзистора от 10% до 90%.
25. Индуктивность вывода стока (Internal Drain Inductance) LD – паразитная индуктивность вывода стока транзистора.
26. Индуктивность вывода истока (Internal Source Inductance) LS – паразитная индуктивность вывода истока транзистора.
27. Постоянный прямой ток через обратный диод (Continuous Source-Drain Diode Current) IS – максимальное значение постоянно протекающего прямого тока через паразитный p-n диод.
28. Импульсный ток через обратный диод (Pulsed Diode Forward Current) ISM – максимальное значение постоянно протекающего прямого тока через паразитный p-n диод.
29. Падение напряжения на диоде (Body Diode Voltage) VSD – прямое падение напряжения на диоде. При заданных температуре и токе истока.
30. Время восстановления паразитного диода (Body Diode Reverse Recovery Time) trr — время восстановления обратной проводимости паразитного диода.
31. Заряд восстановления паразитного диода (Body Diode Reverse Recovery Charge) Qrr – заряд необходимый для восстановления обратной проводимости паразитного диода.
32. Время включения паразитного диода (Forward Turn-On Time) ton — время перехода диода в проводящее состояние. Обычно составляет пренебрежимо малую величину.
33. Паразитное сопротивление затвора (Gate resistance) RG – паразитное последовательное сопротивление затвора. Именно оно ограничивает скорость переключения при управляющем драйвере с большим выходным током.
Подключение (N-канальный)
Управляющий пин мосфета (затвор) подключается к любому цифровому пину МК через токоограничивающий резистор на 100-200 Ом, что защитит пин от слишком большого тока. Также он подтягивается к GND резистором на 10 кОм, чтобы транзистор автоматически закрылся при отсутствии сигнала с МК. “Плюс” источника питания подключается напрямую к нагрузке, GND соединяется с GND микроконтроллера. GND нагрузки подключается на выход (сток) мосфета:
Рассмотрим возможное подключение мотора из PRO версии набора, питание от внешнего 5V адаптера:
Драйверы для управления
Так как нет тока в цепи управления, в статическом режиме можно не использовать стандартные схемы. Разумнее применить специальный драйвер – интегральную схему. Многие фирмы выпускают устройства, которые позволяют управлять одиночными силовыми транзисторами, а также мостами и полумостами (трехфазными и двухфазными). Они могут выполнить различные вспомогательные функции – защитить от токовой перегрузки или КЗ, а также от большого падения напряжения в цепи управления мосфет. Что это за цепь, будет рассказано более детально ниже. Стоит заметить, что падение напряжения в цепи управления силовым транзистором – это очень опасное явление. Мощные мосфеты могут перейти в другой режим работы (линейный), вследствие чего выйдут из строя. Кристалл перегревается и транзистор сгорает.
Режим КЗ
Главная вспомогательная функция драйвера – это защита от токовых перегрузок. Необходимо внимательно посмотреть на работу силового транзистора в одном из режимов – короткого замыкания. Перегрузка по току может возникнуть по любой причине, но наиболее частые – замыкание в нагрузке либо же на корпус. Поэтому следует правильно осуществить управление мосфетами.
Перегрузка происходит из-за определенных особенностей схемы. Возможен переходный процесс либо возникновение тока обратного восстановления полупроводникового диода одного из плеч транзистора. Устранение таких перегрузок происходит схемотехническим методом. Используются цепи формирования траектории (снабберы), осуществляется подбор резистора в затворе, изолируется цепь управления от шины высокого тока и напряжения.
Отличия МОСФЕТ от полевых транзисторов
Основное отличие от полевых в том, что МОП-транзисторы выпускаются в двух основных формах:
Графические обозначения транзисторов на схемах
Линия между соединениями стока и истока представляет собой полупроводниковый канал. Если на схеме, на которой изображены MOSFET транзисторы, она представлена жирной сплошной линией, то элемент работает в режиме истощения. Так как ток из стока может протекать с нулевым потенциалом затвора. Если линия канала показана пунктиром или ломанной, то транзистор работает в режиме насыщения, так как течет ток с нулевым потенциалом затвора. Направление стрелки указывает на проводящий канал, р-типа или полупроводниковый прибор п-типа. Причем отечественные транзисторы обозначаются точно так же, как и зарубежные аналоги.
Азбука устройства MOSFET
В общих чертах MOSFET позволяет с помощью низкого напряжения на затворе управлять током, протекающим по каналу «исток-сток». Благодаря этому свойству можно значительно упростить схему управления, а также снизить суммарную затрачиваемую на управление мощность.
На сегодняшний день широкое распространение получили две технологии производства MOSFET: планарная и Trench.
Первые MOSFET были созданы по планарной технологии. Транзисторы, изготавливаемые по этой технологии, изображены на рис. 1. Их структура состоит из металла и полупроводника, разделенных слоем оксида кремния SiO2.
Рис. 1. Планарная технология – первые дискретные MOSFET
Trench-структура (рис. 2) имеет более высокую плотность ячеек, что выражается в более низком значении Rds(on). В Trench MOSFET на поверхности подложки создается V-образная канавка, на которую осаждается слой оксида, и затем происходит металлизация.
Рис. 2. Высокоплотные Trench MOSFET могут быть меньше, чем их планарные собратья, но обладать сравнимым значением Rds(on)
Поле затвора в Trench MOSFET оказывает влияние на гораздо большую область кремния. В результате этого для получения аналогичного Rds(on) требуются меньшие физические размеры, чем при изготовлении MOSFET по планарной технологии.
Наряду с явными достоинствами MOSFET имеют и отрицательные стороны. Так, между слоем n- стока и p+ истока формируется внутренний диод. Характеристики этого диода приводятся в технических данных на все MOSFET. Применяя MOSFET в импульсных схемах, всегда нужно принимать во внимание время обратного восстановления внутреннего диода. Также, в MOSFET формируется внутренний NPN-транзистор, коллектором которого является n-слой стока, базой – p-слой, а эмиттером – n-слой истока.
Необходимо учитывать, что металлизация истока (рис. 3) в некоторых местах имеет очень низкое сопротивление между переходом «база-эмиттер», этот момент осложняет включение транзистора.
Рис. 3. Внутренние диод и биполярный транзистор в структуре MOSFET
Схема простого MOSFET усилителя
Параметры усилителя
Вся конструкция УНЧ размещена в небольшом алюминиевом корпусе. Питается схема от простого двухполярного выпрямителя с тороидальным трансформаторомна 250 ватт. Обратите внимание, что на фото показан моноблок — то есть одноканальный усилитель, так как он собран для электрогитары.
Радиатор применён из черного анодированного алюминиевого профиля. Корпус имеет длинну 300 мм и снабжен сзади 80 мм вентилятором охлаждения. Вентилятор работает постоянно, поэтому радиатор всегда прохладный, даже при максимальной мощности (или, по крайней мере, несколько выше температуры окружающей среды).
Блок питания для усилителя MOSFET мощностью 100 ВтДвухполярное питание +45/-45 для усилителя мощности MOSFET 100 Вт
Схема настройки
Перед включением установите R1 в средней точке, а затем медленно отрегулируйте его, чтобы получить минимальное напряжение (менее 50 мВ) на выходе. Следующим шагом является настройка тока покоя и поддержание заданного подстроечным резистором R8 минимального значения сопротивления и подключение мультиметра к точкам, отмеченным X и Y на принципиальной схеме. Теперь отрегулируйте R8 так, чтобы мультиметр показывал 16,5 мВ, что соответствует току покоя 50 мА.
Применение MOSFET-транзисторов
Области использования MOSFET-транзисторов:
— в импульсных преобразователях и стабилизаторах;
— в генераторных устройствах;
— в усилительных каскадах (особенно в звуковых Hi-Fi усилителях);
— в твердотельных реле;
— в качестве элемента логических схем.
Основные преимущества MOSFET-транзисторов проявляются при их использовании в качестве ключевых элементов.
При всех преимуществах MOSFET-транзисторы достаточно «нежные» существа: боятся статического электричества, разрушаются при перегреве свыше 150 °С. Из этого следует то, что полевые транзисторы более критичны к перегреву при пайке по сравнению с биполярными, а также то, что с ними целесообразно работать при условии защиты от статического электричества.